一、今日推荐（3 篇）
主题归纳：中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值
基于最近48小时直接用户对话，本期只有一个同时具备近期热度、明确投资决策影响和深度研报补证价值的主题。Obsidian导入、Markdown转换、网站发布、技能重构等操作性内容已降权；7月27日已经覆盖的AI产业资本回报主题不重复推荐。
1. 中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值最近24小时出现了对中国DRAM核心公司的详细研究、关注股与持仓分类分析以及后续投资策略需求，直接关系到国产存储产业景气判断、公司盈利兑现和仓位决策。；依据：近期明确要求解读一家中国DRAM公司的英文研究资料，并据此分析关注股、持仓股和后续投资策略。；活跃主题统计中，公司研究与投资决策的24小时热度和研究优先级最高；DRAM与目标公司相关词同时进入近期候选。
今日推荐 #1 · 综合匹配 82.6
长鑫科技（688825.SH）：打破DRAM海外垄断的本土破局者，存储大周期下驶入成长快车道
中泰证券30页2026/07/22中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值
公司主证据：中泰证券30页深度报告直接覆盖长鑫科技的产能、技术迭代、盈利弹性与估值框架，用于回答公司层面的投资价值问题。
补足盲区：缺少对全球DRAM供需与价格周期、中国国产替代和技术追赶、目标公司的产能与盈利弹性、以及估值和下行风险的最新权威交叉证据；单一券商买入报告不足以识别周期顶部、产能过剩、制裁和竞争反应等反例。
今日推荐 #2 · 综合匹配 77.3
全球存储科技：三星修正、强劲指标、长鑫存储IPO、华邦电子回升
美银证券35页2026/07/11中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值
全球对照与挑战：美银证券35页全球存储报告同时检验DRAM涨价持续性、海外三巨头景气度和长鑫新增产能的实际竞争影响，避免只接受本土公司多头叙事。
补足盲区：缺少对全球DRAM供需与价格周期、中国国产替代和技术追赶、目标公司的产能与盈利弹性、以及估值和下行风险的最新权威交叉证据；单一券商买入报告不足以识别周期顶部、产能过剩、制裁和竞争反应等反例。
今日推荐 #3 · 综合匹配 77.0
韩国存储出口追踪（2026年6月）：2026年第二季度高带宽内存（HBM）表现强劲，三星表现尤为突出
伯恩斯坦23页2026/07/20中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值
高频验证与风险：伯恩斯坦23页韩国存储出口追踪提供HBM与传统DRAM的最新需求信号，并明确提示周期风险及长鑫崛起对海外厂商的结构性威胁。
补足盲区：缺少对全球DRAM供需与价格周期、中国国产替代和技术追赶、目标公司的产能与盈利弹性、以及估值和下行风险的最新权威交叉证据；单一券商买入报告不足以识别周期顶部、产能过剩、制裁和竞争反应等反例。
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三、深度报告清单（19 篇 · 按主题分组、组内按页数排序）
核心要点基于检索命中段落自动提炼，引用关键数据请以PDF原文为准
中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值｜全球供需与价格周期6 篇
存储测试机专题：AI算力催生HBM带动测试机新需求，国产设备商加速突破
TOP 核心必读东吴证券50页2026/07/02机械设备ID 5505926
- ⚫HBM具备高带宽、低延迟、低功耗等优势。高带宽存储器（HBM）是一种采用三维堆叠和硅通孔（TSV）等技术的高性能DRAM，其核心优势在于采用微凸块技术缩短了DRAM和逻辑芯片之间的信号传输距离，同时通过增加存储多层堆栈的数量和位宽实现了更大的存储容量和更多的I/O引脚数量、降低了I/O工作电压并减少了信号线的数量和长度，因此具备高带宽、低延迟和低功耗等优势，是应对内存墙问题的核心技术。
- ⚫HBM采用多层DRAM堆叠结构及2.5D封装。HBM采用3D堆叠存储架构，由多个DRAM Die通过TSV（硅通孔）技术垂直互联，并在底部集成逻辑层，最终通过2.5D封装与GPU、CPU等计算芯片共同集成于中介层之上。与传统DDR、GDDR等平面封装存储器相比，HBM显著缩短了存储单元与计算芯片之间的数据传输距离，同时在有限封装面积内实现更多存储单元集成，是当前AI加速器和高性能计算领域的主流存储方案。
- ⚫HBM（高带宽存储器）的制造核心在于TSV（硅通孔）封装技术。以SK海力士官方披露的TSV封装流程为例，单片DRAM晶圆需经历12道关键工序：从硅刻蚀形成深孔，到铜填充与化学机械抛光（CMP）确保通孔导电性与表面平整度；随后进入后端金属化与正面凸点形成，通过回流焊制备微凸点；晶圆经临时载片键合支撑后，进行背面减薄、TSV露出与背面钝化、背面凸点形成，最终完成载片解键合与芯片堆叠塑封。TSV刻蚀/填充、微凸点形成及薄晶圆键合等关键工序决
长鑫科技（688825.SH）：打破DRAM海外垄断的本土破局者，存储大周期下驶入成长快车道
TOP 核心必读中泰证券30页2026/07/22ID 5551313
- 财务弹性（报告第8-9页）：2025年营收618亿元、综合毛利率41%；2026Q1营收508亿元、归母净利润248亿元、归母净利率49%。利润高度受DRAM价格与存货跌价准备转销影响，不能把单季高利润线性外推。
- 结构升级（报告第8页）：LPDDR营收占比由2022-2024年的74%-80%以上降至2025年66%，DDR由18%升至32%；服务器收入占比在2022至2025H1从2%升至24%，2022-2024年CAGR为219%。
- 供给与风险（报告第1、28页）：公司2026Q1全球DRAM收入份额7.7%，三座12英寸厂预计年内全部达产；若海外扩产、下游去库存或新工艺良率/设备交付不及预期，涨价持续性与毛利率会直接承压。
EU半导体与日本半导体混合键合：尽管HBM存在不确定性，逻辑采用仍具看涨逻辑；将Besi目标价上调至310欧元
伯恩斯坦23页2026/07/21电子设备ID 5548562
- • 此外，也存在XPU与DRAM的键合，例如在中国龙芯CPU中所示，该CPU在芯片上集成了HBM和DRAM。在龙芯的配置中，混合键合有助于使DRAM更像处理器封装的一流扩展，而不是一个遥远的封装外资源。
- 我们DISCO目标价格存在若干下行风险：(1) 与AI相关产品（如GPU和HBM）的产能过剩导致业务收缩和盈利能力下降；(2)竞争环境变化；(3) 不利汇率波动导致收入面临下行风险。
- 欧盟/日本半导体：混合键合——尽管HBM不确定性，看涨逻辑被采纳；将Besi目标价上调至310欧元
冉冉升起的中国DRAM龙头，充分受益存储高景气周期
国金证券23页2026/07/24ID 5558295
- 长期以来，全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三大厂商主导，占据全球90%以上市场份额，形成高度集中的寡头竞争格局。根据Counterpoint Research的数据，2026年Q1三星电子在全球DRAM市场的占有率为38%，排名第一；SK海力士、美光科技在全球DRAM市场的占有率分别为29%、22%，排名第二、第三；公司按2026年一季度收入计，占全球份额增长至8%。但近年来，多重变量正在打破原有平衡：全球半导体供应链的区域化趋
- AI算力爆发驱动存储价格暴涨。从全球DRAM现货价格走势看，根据iFind的数据，2023年3月至2024年下半年，DDR5 16Gb、DDR4 8Gb及DDR4 16Gb价格长期处于低位窄幅波动，行业供给过剩与需求疲软压制价格。2025年四季度起，DDR4 16Gb价格率先大幅攀升，至2026年中接近80美元，DDR5 16Gb与DDR4 8Gb价格同步温和上行。这一趋势反映行业供需格局反转：上游厂商在AI服务器、数据中心等下游需求爆
- 从驱动因素来看，AI算力需求爆发成为核心引擎，全球数据量呈指数级增长，IDC预计2025年全球将产生213.56ZB数据，到2029年将增长一倍以上达到527.47ZB，有望带动服务器存储、HBM等高附加值产品需求激增。同时存储原厂将产能向HBM等高端型号倾斜，导致传统DRAM产品供给收紧，推动价格持续上行。
韩国存储出口追踪（2026年6月）：2026年第二季度高带宽内存（HBM）表现强劲，三星表现尤为突出
伯恩斯坦23页2026/07/20电子设备ID 5548600
- 出口总量（报告第3页）：6月韩国对台湾和马来西亚的多芯片存储出口62亿美元，环比+45%、较3月+46%、同比+119%；2026Q2环比+39%，构成HBM需求加速的高频代理。
- 厂商分化（报告第1、3页）：回归估算三星2026Q2 HBM收入67亿美元、环比+89%，比模型高25%；SK海力士约76亿美元、环比+25%，显示三星追赶明显加速。
- 适用边界（报告第1、8-9页）：单位重量价值显示传统存储价格快速上行、HBM价格相对稳定；出口法无法捕捉韩国境外封装或韩国境内消耗，只能作方向性验证，不能直接推导长鑫收入或估值。
HBM+LTA：AI存储核心受益标的
国金证券23页2026/07/17ID 5540119
- SCA协议已经占到美光20%的DRAM出货量，1/3的NAND出货量。美光签订的SCA的价格区间中下限也可以带来超过过去周期顶点的盈利能力，上限将采用26Q2的市场价。公司作为HBM领先厂商与三大原厂之一，未来LTA占出货比例有望持续提升。
- 随着数据中心客户逐步签署长期LTA，价格波动收窄，核心驱动不再主要来自ASP上行，而是来自AI基础设施扩张带来的持续出货增长。LTA、客户预付款、供给承诺以及更强的产品定制化属性，有望使行业利润率在高位保持相对稳定。过去市场对存储厂的定价框架主要围绕“涨价—盈利上修—周期见顶”展开，因此估值往往受制于周期高点担忧，但在本轮AI基建拉动下，HBM、高密度服务器DRAM、企业级SSD等产品已经成为AI系统性能和供给安全的关键部件，客户更愿意
- AI基础设施扩张正在推动存储需求从单点HBM扩展至多层存储需求，带动DRAM、NAND等需求共同增长。随着AI从训练阶段进入推理、agentic AI和更长上下文，系统对HBM、DRAM以及NAND的需求同步提升。对下游客户，存储已经从可替代的标准部件转变为AI算力交付的关键瓶颈，供给安全的重要性显著上升。在供需紧张背景下，我们认为客户更重视锁定供应量而非短期价格，供应商的可交付产能、先进制程迁移能力以及先进封装能力成为核心竞争力。公司
中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值｜国产替代与竞争格局5 篇
SemiAnalysis中国长鑫存储即将挑战DRAM行业巨头---ChinasCXMTI
TOP 核心必读未知机构53页2026/07/21ID 5550137
- 考虑到⻓鑫存储的HBM技术尚未完全成熟，将⼤量晶圆产能分配给HBM不仅利润空间有限，还会挤占稀缺的DRAM晶圆产能——这些产能本可⽤于⼤规模⽣产利润更⾼的通⽤型DRAM。在此背景下，优先发展通⽤型DRAM既是经济理性的选择，也更契合⻓鑫存储当前制造能⼒与定价环境。不过中国必须将部分产能投⼊HBM领域，因为尽管存在允许韩国供应商继续向中国供货的某些灰⾊渠道，但HBM对中国的整体出⼝仍受到明显限制。
- ⻓期来看，我们相信CXMT对主流存储供应商的竞争压⼒只会持续加剧，⽆论是在产品层⾯还是产能维度。尽管CXMT的竞争⼒是渐进式⽽⾮爆发式增强，但其市场份额仍在稳步提升。虽然该公司在HBM领域仍显著落后于三⼤存储巨头，使其保持明显优势，但在通⽤型DRAM市场，其竞争压⼒已在中国市场显现，未来可能扩展⾄全球范围。此外，随着中国晶圆制造设备的持续升级，⻓期来看WFE对CXMTDRAM能⼒的制约因素将逐步弱化——尤其当其制程技术⽇趋成熟并持续迭代
- 长鑫存储 IPO、SK 海力士、美光、三星竞争、制程节点差距、中国 HBM、晶圆新增产能、存储器长期协议
全球存储科技：三星修正、强劲指标、长鑫存储IPO、华邦电子回升
TOP 核心必读美银证券35页2026/07/11电子设备ID 5526110
- 景气信号（报告第1页）：周度渠道检查未见下行，许多2026Q3合同涨价20%以上；美银将Q3 DRAM ASP环比预测从+17%上调至+21%。
- 周期强度（报告第1页）：其存储指标5月为183，明显高于2017/2024年峰值120-130；6月DRAM现货环比+11%、韩国半导体出口环比+21%，高端内存需求强于普通现货。
- 长鑫边界（报告第1页）：CXMT 2026Q2销售指引590-690亿元、同比约7倍；即使据媒体报道月产能20-30万片，市场份额仍为个位数，高端LPDDR5、HBM和SOCAMM仍受质量能力与出口管制约束。
产能替代窗口开启：大厂淡出与长鑫赋能共振
TOP 核心必读交银国际34页2026/07/17电子设备ID 5540088
- 兆易创新是中国内地少有的同时在NOR Flash、DRAM和SLC NAND Flash三个存储品类都有布局的存储厂，属于国产存储中的核心标的。国家集成电路产业基金一期（“大基金”，2014年成立，总投资额1,387亿元）将兆易创新列为存储战略产业的重点投资标的。大基金二期（2019年成立，总投资额2,042亿元）重点投资长鑫科技集团（前身睿力集成）。大基金三期（2024年成立，总投资额3,440亿元）规模约为前两期总和，我们预计DRA
- 依托深度绑定长鑫存储的产业链核心优势，叠加NOR、DRAM全品类量价齐升带来的业绩高成长性，相较同业可享受国产存储龙头对应的估值溢价。
- 公司是中国内地存储板块核心标的之一，我们看好其在利基型DRAM和SLC NANDFlash的产能替代浪潮中的份额增长潜力。首次覆盖，给予买入评级，A股目标价798元，港股目标价907港元；对应32倍2027年市盈率，处于均值以下1个标准差附近。投资风险：行业周期波动、技术研发迭代、市场需求不及预期、资本市场相关扰动、全球经营环境变化。
日兴-长鑫存储科技68
未知机构30页2026/07/27ID 5563756
- 我们预计，即使在考虑到潜在的记忆效率技术采用（使内存使用量减少4倍）的情况下，2026-2030年期间，对自主AI的强劲需求仍将推动全球内存使用量增长超过7倍（年复合增长率超过60%）。然而，半导体产能扩张面临多重瓶颈（例如洁净室、设备、材料和人才）。内存制造商在2026-2030年期间的内存容量扩张年复合增长率预计为30-40%，但这可能仍然不足。我们预测CXMT将在2026-2030年期间实现内存容量年复合增长率40-45%，其全球
- 我们预计CXMT到2025年底的产能将达到280kwpm，并将在2026年底前提升至350kwpm。CXMT可能在2027年底和2028年底各新增100kwpm产能，这将使其到2028年底的总产能达到550kwpm。另一方面，CXMT也计划在上海（徐浦天英）建设HBM封装产能，初期产能可能达到50kwpm（仅封装而非DRAM生产）。鉴于我们预计CXMT未来两年将满负荷运行，我们认为晶圆产量的关键变量主要是良率。我们预计CXMT的良率将在
- 后公司名称更改为Innotron Memory，并于2019年更名为长鑫记忆科技有限公司，初期采用19纳米工艺生产8GB LPDDR4和DDR4 DRAM，产能为20kwpms。经过数年扩张，CXMT已成为中国最大、全球第四大的DRAM制造商，也是唯一具备通用DRAM量产能力的大陆中国企业，总部位于中国安徽省合肥市。CXMT作为IDM（集成器件制造商），整合了芯片设计、晶圆制造、封装测试和产品销售。公司创始人兼董事长朱一明（Yiming
卡位薄膜沉积高端工艺，受益存储扩产与国产替代
国金证券23页2026/07/06机械设备ID 5511182
- 据Counterpoint统计，2026Q1，三星分别以38%与29%的份额稳居DRAM和NAND市场首位。在本土庞大需求与芯片价格上行的双重驱动下，国内存储厂商营收及份额也同步增加。DRAM领域，长鑫存储营收同比大增超700%，份额翻倍至8%并稳居全球第四；NAND领域，受AI基础设施与eSSD需求拉动，长江存储营收同比劲增近445%，份额由8%快速攀升至13%，紧追第一梯队。据YOLE估计，2024年中国占DRAM市场26%的份额，
- 据公司2025年11月机构调研公告披露，目前公司半导体新增订单中超过80%直接来自于NAND与DRAM头部客户。作为ALD与高端CVD设备的领先供应商，其产品已广泛应用于国产存储芯片量产产线，核心工艺为3D DRAM与3D NAND等技术的研发与产业化提供了关键支撑。当前，伴随存储芯片3D结构堆叠层数的持续提升及客户产能规模的加速扩张，相关设备需求正持续放量。公司现已积极扩大核心产品产能以顺应市场需求，我们预计，在极高的存储业务敞口下，
- 从结构上看，三星、SK海力士与美光正优先推进HBM和先进DRAM扩张，投资聚焦于硅通孔、混合键合、HBM堆叠及新建大规模晶圆产能。与此同时，本土晶圆厂的资本开支权重呈现显著边际向上态势。2026年长鑫科技与长江存储的资本开支预计将分别占据全球IDM总水平的7.1%与4.0%，二者合计贡献全球存储IDM资本开支的14.3%。我们判断，伴随长鑫与长存筹备上市进程的顺利推进，其拓宽的融资渠道将直接转化为持续扩产的动能。这种由海外巨头技术迭代与
中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值｜公司盈利与估值7 篇
长鑫科技：首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书
TOP 核心必读招股说明书410页2026/07/22ID 5548285
- 2007年7月至2018年10月，先后于江森自控（中国）投资有限公司、麦格纳汽车技术（上海）有限公司、上海辑智信息科技有限公司、惠而浦（中国）股份有限公司担任财务总监。2018年10月至2022年9月，历任长鑫存储高级总监、副总裁、高级副总裁等职务；2022年9月至今，任发行人高级副总裁及财务负责人。
- 1996年10月至2003年8月期间，先后任工商银行武汉分行洪山支行储蓄、信贷专员、华工科技股份有限公司投资部长、武汉长江通信产业股份有限公司项目投资部部长。2006年3月至2010年2月，先后任中国银行总行司库、财务管理部高级经理（统计分析、外币定价、资本管理高级分析师）。2010年至2020年期间，任武汉金融控股
- “德勤华永会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“本所”）作为长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）首次公开发行股票并上市的审计机构及验资机构，出具了长鑫科技2025年度、2024年度及2023年度财务报表的审计报告、关于原始财务报表与申报财务报表差异比较表的专项说明、关于非经常性损益明细表的专项说明、关于主要税种纳税情况的专项说明、长鑫科技于2025年12月31日的内部控制审计报告、长鑫科技截至2023年6月26日止注册资本
“保险+科技”双轮驱动的低估值、高弹性标的
TOP 核心必读东吴证券38页2026/07/09ID 5519474
- 众安在线科技业务收入端持续保持扩张态势，利润端在多年研发投入后实现商业化破局，第二增长曲线的价值逐步显现。1）收入规模层面，科技业务总收入从2017年的0.4亿元增长至2024年的9.5亿元，八年间增长超22倍，整体保持强劲的扩张节奏。2）盈利表现层面，科技业务经历了长期的投入亏损期后，于2024年正式实现扭亏为盈。2025年净利润为0.5亿元，虽略有回落但持续保持盈利状态，说明业务已进入盈利稳态，不再是单纯的投入型业务，开始向利润贡献
- 估值处于历史底部区间，维持“买入”评级。上市以来，众安在线历史最高PB曾达17.84倍；自2021年初触及5.69倍PB的阶段性高点后，估值便进入持续下行通道。截至2026年7月8日收盘，公司股价对应最新PB（MRQ）仅0.6倍，处于上市以来的估值低位。我们看好公司核心保险业务的增长动能，预计未来业绩增速将优于行业平均；同时科技输出业务与银行板块布局也将逐步释放盈利增量，成为业绩增长的第二曲线。当前公司估值仍处历史低位，安全边际充足，维
- 科技板块与银行板块也将逐步释放盈利增量，成为业绩增长的第二曲线。1）保费增速与COR显著优于同业。公司总保费从2017年的60亿元稳步攀升至2025年的357亿元，期间CAGR高达25.1%，2025年市场份额2.0%，仍有足够增长空间。COR相较“老三家”已有优势，2023-2025年COR始终维持在96%左右的优秀水平，连续三年优于“老三家”。2）科技业务已稳定实现盈利，参股公司众安信科与暖哇科技均已在港交所递交上市申请。3）银行板
中国"存”，存世界 长鑫科技深度报告
TOP 核心必读华西证券33页2026/07/19ID 5545927
- 投资建议：公司是国内DRAM研发设计制造一体化龙头企业。由于AI产业发展对于存储需求快速提升，作为AI基建的核心环节，长鑫科技作为国内实现存储自主可控的核心企业，受益于行业景气度提升和国产替代共振，有望实现快速发展。盈利预测如下：盈利预测如下：预计2026-2028年公司营业收入分别为2776.90 /3917.94 /5726.94亿元，归母净利润为1244.05/1821.17/ 2906.02亿元，考虑到长鑫科技是A股第一家存储
- 长鑫科技正处于国产替代、AI算力扩张与存储周期上行三重共振阶段。国内DRAM自给率仍低，政策、国资和产业协同为扩产研发及客户导入提供支持；AI服务器需求增长，推动DDR5、服务器DRAM及HBM市场扩容。公司已形成DDR、LPDDR完整产品矩阵，并布局HBM，叠加IDM模式、跳代研发和产能优势，单位成本下降、盈利能力改善。随着头部客户绑定、产能爬坡和高端产品放量，公司有望实现份额、收入与利润同步提升。
- 由于AI产业发展对于存储需求快速提升，作为AI基建的核心环节，长鑫科技作为国内实现存储自主可控的核心企业，受益于行业景气度提升和国产替代共振，有望实现快速发展。盈利预测如下：预计2026-2028年公司营业收入分别为2776.90 /3917.94 /5726.94亿元，归母净利润为1244.05/1821.17/ 2906.02亿元，每股收益（EPS）为1.86/2.72/4.35元，考虑到长鑫科技是A股第一家存储行业IDM公司，给予
亚洲科技策略3Q26：估值创新高但盈利支撑完好，精选赢家并增配部分滞后标的
TOP 核心必读伯恩斯坦31页2026/07/13信息技术ID 5529993
- 亚洲科技策略 2026年第三季度：估值创纪录高位，但盈利支撑依然稳固……需精选赢家，并适当配置落后者。
- 自上而下视角：我们对该板块仍持建设性看法，因为盈利支持依然强劲，且存在充足的上行修正空间。然而，估值支持有限——在5月份达到36倍前瞻市盈率的峰值后，亚洲科技板块目前交易于30倍前瞻市盈率，即比10年平均高1.8个标准差，较5年平均40%的市盈率溢价62%。在收入倍数方面，该板块交易于5.1倍销售市盈率的科技泡沫估值水平。在表现较好的子板块中，我们建议削减对计算机外设的敞口，因为盈利上调已创历史新高。然而，对于半导体和通信/电子设备而言
- 此前（即使在科技泡沫或2021年泡沫时期）也未见如此情况，而最昂贵的那批股票在达到峰值前已触及2021年高点。在市盈率方面，科技板块的交易估值创历史新高，上次出现这种情况是在科技泡沫时期。该板块的市销率为5.1倍，比五年均值高2.9个标准差，比十年平均水平高2.7个标准差。相对于市场，该板块的溢价率为84%，远高于五年平均溢价率33%。昂贵科技股的那批股票也估值偏高，市销率为15.3倍，比五年水平高3.0个标准差，比十年均值高2.9个标
天齐锂业（002466）深度研究：低成本资源铸就护城河，一体化龙头迎周期修复
东方财富30页2026/07/02ID 5520672
- 本报告所载的盈利预测、评级、估值等观点，均基于特定的假设和前提条件，不构成所述证券买卖的出价或征价，亦不构成对具体证券在具体价位、具体时点、具体市场表现的投资建议。
- 公司盈利能力阶段性承压。公司销售毛利率从2022-2023年约85%的高点回落至2025年的39.4%，2025年同比2024年下滑6.7 pct。在毛利率承压的同时，公司期间费用率整体有所抬升。2025年，公司销售/管理/研发/财务费用 率 分 别 为0.12%/4.97%/0.33%/6.88%， 同 比 分 别+0.04/+3.48/+0.26/+6.84pct。
2026年三季度公募基金投资策略：从估值修复到盈利验证：结构分化下的基金配置再平衡
国贸期货23页2026/07/09ID 5520461
- ⚫A股整体判断：上半年A股“慢牛”格局步入后半场，行情由全面估值修复转向结构分化。在经济与盈利“K型分化”、全球AI投资热潮延续及科技竞争加剧的背景下，科技成长和新质生产力仍是主要上行动力，但随着估值修复至中性偏高水平，前期快速上涨阶段或已告一段落，进一步上行空间有限，持仓风险相应上升。展望后市，市场中枢仍有望在政策红利释放和外部扰动消化中震荡上移，但主线将更加依赖盈利兑现与产业趋势验证，高拥挤方向的波动风险需重点关注。同时，高端制造、
- ⚫科技成长估值已处高位：电子、通信当前PE近10年分位数分别达到99.2%和98.3%，反映AI产业链、数字经济等方向的成长预期已被较充分定价，后续需要盈利兑现来消化估值。
- ⚫行业层面，当前A股估值与盈利分化：电子、通信、机械设备等科技成长和高端制造方向估值分位已处历史高位，反映AI产业链、数字经济和先进制造预期已被较充分定价；而银行、非银金融、食品饮料、美容护理、社会服务等行业估值仍处低位，显示市场对消费复苏和金融盈利改善仍偏谨慎。
2026年中期证券行业投资策略报告：改革深化，转型持续，静待价值重塑
万联证券23页2026/07/13金融ID 5529447
- A股上半年，特别是2月末至6月上旬结构性行情明显，资金涌入电子、通信等板块，券商板块整体持续低迷，与业绩高增的基本面背离，我们判断主要原因在于：1）2026Q1证金公司减持券商个股在资金面和市场信心上形成压制；2）3家上市券商接连公告拟大额再融资，投资者担心摊薄净资产收益率以及其他券商后续跟进；3）美伊地缘冲突导致国际油价飙升、全球滞胀风险上升，中国出口和企业盈利也面临拖累，可能动摇了部分投资者对宏观经济、权益市场“长牛”以及券商业绩可
- 长期来看，国际业务与保荐跟投激活成长属性，证券行业价值重塑可期。在加快建设金融强国、打造国际一流投行的政策导向下，券商将通过国际业务开辟新的增长空间，提升经营杠杆、盈利弹性，同时，国内资本市场科技金融体制加快构建完善，保荐跟投将使券商由传统中介转型“价值发现者”“产业合伙人”，充分参与和共享战略新兴产业的发展。我们认为国际业务与投行资本化成为行业重资本化经营模式下抬升ROE中枢的关键支点，同时传统经纪业务向财富管理转型将助力券商应对长年
- 短期来看前期估值压制因素已边际弱化，板块估值仍与基本面深度偏离，具备修复空间。上市券商2026Q1业绩高增，二季度以来行业基本面保持高景气，当前估值却处于近十年来约20%分位，具备修复空间。并且我们判断前期的一些估值压制因素也在弱化，证金公司等“国家队”减持压力边际减弱，再融资投向国际业务、另类子等高成长性领域有助于提高盈利弹性，美伊冲突引发的全球石油供给危机中我国经济和资本市场展现出强大韧性，将增强投资者信心、吸引外资流入，进一步提升
中国DRAM产业周期与长鑫科技投资价值｜周期反转与政策风险1 篇
阿斯麦：全球AI算力扩张的核心枢纽，深度受益2028设备长周期红利
TOP 核心必读华泰证券31页2026/07/08ID 5516468
- ASML是全球半导体先进制程扩张过程中的关键节点与供应链的主要制约因素。公司当前正迎来“全行业资本开支大幅增长”与“芯片升级拉动单片光刻强度抬升”的双重红利共振：一方面，AI需求与存储超级周期共振，我们认为有望驱动2028年全球前道设备市场（WFE）较2025年实现翻倍；另一方面，逻辑与存储向2nm及1c DRAM加速迁移，High-NA和高性能Low-NA（如批量交付的最新款3800E）的导入，有望推动ASML单片光刻价值量的提升。叠
- 公司2025年合并收入约326.7亿欧元（YoY+15.6%），归母净利润96.1亿欧元（YoY+26.9%），收入增长主要受益于AI带动先进逻辑及先进DRAM扩产、EUV采用率提升、High-NA开始确认收入以及IBM服务/升级需求放量。公司目前预计2026年收入在360-400亿欧元之间，毛利率维持51%-53%指引，并计划2026年至少交付60台Low-NA EUV、2027年Low-NA EUV产能提升至超80台，同时DUV和应
- 核心预测假设上，根据公司产能交付指引与下游客户扩产节奏，1）量：我们认为EUV出货将受益于AI驱动的先进逻辑层数提升与先进DRAM节点迁移，叠加公司明确的Low-NA产能扩张指引，EUV整体出货台数有望由2025年的52台持续爬坡至2028E的105台，成为收入增长的核心引擎；DUV则在先进封装、成熟制程及中国大陆地区常态化需求支撑下，出货量或将稳步增长。
四、一般性报告汇总（36 篇）
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